IRF7304QPBF Todos los transistores

 

IRF7304QPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7304QPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF7304QPBF datasheet

 ..1. Size:252K  international rectifier
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IRF7304QPBF

PD - 96104 IRF7304QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 l Dual P Channel MOSFET VDSS = -20V 2 7 G1 D1 l Surface Mount l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualified RDS(on) = 0.090 l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive appl

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IRF7304QPBF

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IRF7304QPBF

PD - 96104 IRF7304QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 l Dual P Channel MOSFET VDSS = -20V 2 7 G1 D1 l Surface Mount l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualified RDS(on) = 0.090 l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive appl

 6.3. Size:1692K  cn vbsemi
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IRF7304QPBF

IRF7304QTR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top V

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