IRF7324D1PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7324D1PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Encapsulados: SO-8
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IRF7324D1PBF datasheet
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PD - 95460 IRF7324PbF HEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Low Profile (
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