SD403CY Todos los transistores

 

SD403CY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SD403CY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 0.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-143

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SD403CY Datasheet (PDF)

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High Speed DMOSN-Channel SwitchLLCSD403FEATURES DESCRIPTIONr Ultra High Speed Switching . . . . . . . . . . . . . . . . . t

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WSD4038DN N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSD4038DN is the highest BVDSS RDSON ID performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide 40V 13m 38Aexcellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter Applications applications . The WSD4038DN meet the RoHS and High Frequency Point-of-Load Synchronou

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