SD5400CY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SD5400CY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 0.8 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 70 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-14
Búsqueda de reemplazo de SD5400CY MOSFET
SD5400CY Datasheet (PDF)
sd5000n sd5001n sd5002n sd5400cy sd5401cy sd5402cy.pdf

High-Speed DMOS Quad FETAnalog Switch ArraysLLCSD5000 / SD5001 / SD5002SD5400 / SD5401 / SD5402FEATURES DESCRIPTION Low PropagatiomTime . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 psec The SD5000 Series are monolithic arrays of four bidirectional, Low On Resistance high performance analog switches manufactured with Low Insertion Loss implanted high-speed, high
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History: IPN70R2K1CE | TSM7N60CI | DMN61D9UW | PHD36N03LT | 2SK1347 | FQP6N60 | GSM2304S
History: IPN70R2K1CE | TSM7N60CI | DMN61D9UW | PHD36N03LT | 2SK1347 | FQP6N60 | GSM2304S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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