SD5402CY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SD5402CY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 0.8 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 70 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-14
Búsqueda de reemplazo de SD5402CY MOSFET
SD5402CY Datasheet (PDF)
sd5000n sd5001n sd5002n sd5400cy sd5401cy sd5402cy.pdf

High-Speed DMOS Quad FETAnalog Switch ArraysLLCSD5000 / SD5001 / SD5002SD5400 / SD5401 / SD5402FEATURES DESCRIPTION Low PropagatiomTime . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 psec The SD5000 Series are monolithic arrays of four bidirectional, Low On Resistance high performance analog switches manufactured with Low Insertion Loss implanted high-speed, high
Otros transistores... SD219DE , SD403BD , SD403CY , SD5000N , SD5001N , SD5002N , SD5400CY , SD5401CY , TK10A60D , SD8901CY , SD8901HD , SDF034 , SDF044 , SDF054 , SDF150 , SDF1NA60 , SDF340 .
History: WVM11N80 | AP4800GM | STD9NM50N-1 | 2SJ343 | BSB012NE2LX | IRF7343QPBF | ME4410A
History: WVM11N80 | AP4800GM | STD9NM50N-1 | 2SJ343 | BSB012NE2LX | IRF7343QPBF | ME4410A



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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