SEF401002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SEF401002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-258AA

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SEF401002 Datasheet (PDF)

..1. Size:224K semitronics
sef401002.pdf

SEMITRONICS CORP. SEF401002 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Fast Switching Low RDS(on) 0.025 Ohms High Current & High Power MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE OUT

9.1. Size:122K semitronics
sef40604.pdf

SEMITRONICS CORP. SEF40604 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package High dv.dt Low RDS(on) 0.35 Ohms Eutectic Die Attachment for Hi Reliability MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies

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Liste

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