SEF40604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SEF40604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 151 nC
Tiempo de subida (tr): 43 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-258AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SEF40604
SEF40604 Datasheet (PDF)
sef40604.pdf
SEMITRONICS CORP. SEF40604 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package High dv.dt Low RDS(on) 0.35 Ohms Eutectic Die Attachment for Hi Reliability MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies
sef401002.pdf
SEMITRONICS CORP. SEF401002 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Fast Switching Low RDS(on) 0.025 Ohms High Current & High Power MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE OUT
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