SEFM460 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SEFM460
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SEFM460

SEFM460 Datasheet (PDF)

..1. Size:39K semitronics
sefm460.pdf

SEMITRONICS CORP. SEFM460 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ceramic Eyelets MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: