SEFY340CSTX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SEFY340CSTX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 65 nC
Tiempo de subida (tr): 92 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SEFY340CSTX
SEFY340CSTX Datasheet (PDF)
sefy340cstx.pdf
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SEMITRONICS CORP. SEFY340CSTX 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 POWER MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Low On-State Resistance Simple Drive Requirements Ease of Paralleling MIL STX Screening Included Ceramic Eyelets APPLICATIONS Ceramic Eyele
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