SES744 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SES744
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 170 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 52 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 208 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SES744

SES744 Datasheet (PDF)

..1. Size:40K semitronics
ses744.pdf

SEMITRONICS CORP. SES744 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 SMPS MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Improved Gate, Avalanche and dynamic dv.dt Ruggedness Low gate charge Qg MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE OUT

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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