SH8J65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SH8J65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8J65

SH8J65 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K rohm
sh8j65.pdf

4V Drive Pch+Pch MOSFET SH8J65 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic ordering uni

9.1. Size:132K rohm
sh8j62.pdf

4V Drive Pch+Pch MOSFET SH8J62 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5)Package TapingType Code TBBasic ordering uni

9.2. Size:200K rohm
sh8j66.pdf

4V Drive Pch+Pch MOSFET SH8J66 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5)Type Code TBBasic ordering unit

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Liste

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