SH8K22 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SH8K22
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8K22

SH8K22 Datasheet (PDF)

..1. Size:141K rohm
sh8k22.pdf

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package TapingType C

9.1. Size:2648K rohm
sh8k25.pdf

SH8K25Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging specifi

9.2. Size:2672K rohm
sh8k26.pdf

SH8K26Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

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Liste

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