IRF7389PBF-1 Todos los transistores

 

IRF7389PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7389PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF7389PBF-1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF7389PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  international rectifier
 irf7389pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7389PBF-1

IRF7389PbF-1HEXFET Power MOSFETN-CH P-CHN-CHANNEL MOSFETVDS 30 -30 V 1 8S1 D1RDS(on) max 2 7G1 D10.029 0.058 (@V = 10V)GS3 6S2 D2Qg (typical) 22 23 nC45G2 D2ID 7.3 -5.3 A P-CHANNEL MOSFETSO-8(@T = 25C)ATop ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Tech

 4.1. Size:259K  international rectifier
 irf7389pbf.pdf pdf_icon

IRF7389PBF-1

PD - 95462IRF7389PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-Resistance S1 D1l Complimentary Half Bridge 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45G2 D2l Lead-FreeP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier

 7.1. Size:165K  international rectifier
 irf7389.pdf pdf_icon

IRF7389PBF-1

PD - 91645IRF7389PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Complimentary Half Bridge 2 7G1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutiliz

 8.1. Size:200K  international rectifier
 irf7380qpbf.pdf pdf_icon

IRF7389PBF-1

PD - 96132BIRF7380QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl N Channel MOSFET73m @VGS = 10Vl Surface Mount 80V 2.2Al Available in Tape & Reell 150C Operating Temperaturel Lead-Free1 8S1 D12 7Description G1 D1Additional features of These HEXFET Power3 6S2 D2MOSFET's are a 150C junction operating4

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SHDC220301 , IRF7353D1PBF , IRF7353D2PBF , IRF7379IPBF , IRF7379QPBF , IRF737LCPBF , IRF7380PBF-1 , IRF7380QPBF , K4145 , IRF7401PBF , IRF7401PBF-1 , IRF7402PBF , IRF7403PBF , SHDC220455 , SHDC224701 , SHDC225456 , SHDC225509 .

 

 
Back to Top

 


 
.