SIA430DJT Todos los transistores

 

SIA430DJT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIA430DJT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIA430DJT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
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SIA430DJT

SiA430DJTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) b, c Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0135 at VGS = 10 V 12 a20 5.3 nC - Small footprint area0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8 - Ultra-thin 0.6 mm height 100 % Rg testedThin PowerPAK SC-70-6L Si

 6.1. Size:222K  vishay
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SIA430DJT

New ProductSiA430DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.0135 at VGS = 10 V 12aCOMPLIANT20 5.3 nCSC-70 Package0.0185 at VGS = 4.5 V 10.8- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load SwitchPowerPAK

 9.1. Size:216K  vishay
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SIA430DJT

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0

 9.2. Size:253K  vishay
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SIA430DJT

SiA437DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7- Small footprint area0.0205 at VGS = -2.5 V -25-20 28 nC- Low On-Resistance0.0330 at VGS = -1.8 V -19.70.0650 at VGS = -1.5 V -4

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FIR50N15PG | KPCF8402 | HM4612 | CHM9424JGP | H02N60I | AP9563GK | P9515BD

 

 
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