SIB912DK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIB912DK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.216 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIB912DK

SIB912DK Datasheet (PDF)

..1. Size:227K vishay
sib912dk.pdf

New ProductSiB912DKVishay SiliconixDual N-Channel 20-V MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.216 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.268 at VGS = 2.5 V 20 1.5 1.2 nC SC-75 Package COMPLIANT- Small Footprint Area0.375 at VGS = 1.8 V 1.0- Low On-Resistance

9.1. Size:226K vishay
sib911dk.pdf

New ProductSiB911DKVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.295 at VGS = - 4.5 V - 2.6 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.420 at VGS = - 2.5 V - 20 1.6 nC- 2.2 COMPLIANTSC-75 Package0.560 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint Area- 1.9APP

9.2. Size:208K vishay
sib914dk.pdf

New ProductSiB914DKVishay SiliconixDual N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.113 at VGS = 4.5 V 1.5a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.138 at VGS = 2.5 V SC-75 Package COMPLIANT1.5a- Small Footprint Area0.190 at VGS = 1.8 V 81.5a 1.5 nC- Low On-Res

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