SIE830DF Todos los transistores

 

SIE830DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIE830DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK
 

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SIE830DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  vishay
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SIE830DF

SiE830DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit LimitLow Switching Losses Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0042 at VGS = 10 V 1205030 33 nCExposed PolarPAK Package for

 9.1. Size:212K  vishay
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SIE830DF

New ProductSiE836DFVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.130 at VGS = 10 V 200 18.3 27 nC TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance UsingTop-Exposed PolarPAK Package forDouble-Sided CoolingPackage Drawing Leadframe-Ba

 9.2. Size:175K  vishay
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SIE830DF

SiE832DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0055 at VGS = 10 V 103 Exposed PolarPAK Package for Double-5040 25 nCSided Cooling0.007 at VG

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History: S10H12RN

 

 
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