SIE832DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIE832DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: POLARPAK
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SIE832DF Datasheet (PDF)
sie832df.pdf
SiE832DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0055 at VGS = 10 V 103 Exposed PolarPAK Package for Double-5040 25 nCSided Cooling0.007 at VG
sie836df.pdf
New ProductSiE836DFVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.130 at VGS = 10 V 200 18.3 27 nC TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance UsingTop-Exposed PolarPAK Package forDouble-Sided CoolingPackage Drawing Leadframe-Ba
sie830df.pdf
SiE830DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd WFET Technology for VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit LimitLow Switching Losses Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0042 at VGS = 10 V 1205030 33 nCExposed PolarPAK Package for
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Liste
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