SIE868DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIE868DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: POLARPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIE868DF

SIE868DF Datasheet (PDF)

..1. Size:201K vishay
sie868df.pdf

New ProductSiE868DFVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)aDefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit Ultra Low Thermal Resistance Using 0.0023 at VGS = 10 V Top-Exposed PolarPAK Package for 169 6040 45 nCDouble-Side

9.1. Size:131K vishay
sie864df.pdf

New ProductSiE864DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 45 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 11.9 nC Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0073 at VGS = 4.5 V 45Exposed PolarPAK Package for Double-Sided Coo

9.2. Size:204K vishay
sie860df.pdf

New ProductSiE860DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0021 at VGS = 10 V 17860aExposed PolarPAK Package for Double-30 34 nCSid

9.3. Size:204K vishay
sie862df.pdf

New ProductSiE862DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen III Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for 0.0032 at VGS = 10 V 134 50Double-Sided Cooling

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Liste

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