SIHB22N65E Todos los transistores

 

SIHB22N65E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHB22N65E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SIHB22N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  vishay
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SIHB22N65E

SiHB22N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 32

 6.1. Size:148K  vishay
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SIHB22N65E

SiHB22N60Swww.vishay.comVishay SiliconixS Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Generation OneVDS at TJ max. (V) 650 Halogen-free According to IEC 61249-2-21RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.190DefinitionQg max. (nC) 98 High EAR CapabilityQgs (nC) 17 Lower Figure-of-Merit Ron x QgQgd (nC) 25 100 % Avalanche TestedConfiguration Single

 6.2. Size:198K  vishay
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SIHB22N65E

SiHB22N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 86 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 14 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 26

 6.3. Size:257K  inchange semiconductor
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SIHB22N65E

isc N-Channel MOSFET Transistor SiHB22N60EFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

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History: RF1K49086

 

 
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