SIHB33N60E Todos los transistores

 

SIHB33N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHB33N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 100 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 156 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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SIHB33N60E Datasheet (PDF)

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SiHB33N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.099 Reducted Switching and Conduction LossesQg (Max.) (nC) 150 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 24Qgd (nC) 42 Avalanche Energy Rated (UIS

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SiHB33N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.098 Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgQg (Max.) (nC) 155 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 22 Reduced s

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SiHB30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

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History: LSE60R240HT | WMM18N65EM | OSG65R074KT3ZF

 

 
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