SIHD3N50D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHD3N50D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SIHD3N50D datasheet

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SIHD3N50D

SiHD3N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. ( ) at 25 C VGS = 10 V 3.2 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 20 - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness Qgs (nC) 3 Available - Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd

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SIHD3N50D

SiHD3N50DA www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal design VDS (V) at TJ max. 550 - Low area specific on-resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 3.2 - Low input capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 12 - Reduced capacitive switching losses Qgs (nC) 2 - High body diode ruggedness Qgd (nC) 3 - Avalanche energy rated (UIS) Co

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