IRL3402S Todos los transistores

 

IRL3402S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRL3402S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IRL3402S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  international rectifier
 irl3402s.pdf pdf_icon

IRL3402S

PD - 91693AIRL3402SHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Surface MountVDSS = 20Vl Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drivel Ideal for CPU Core DC-DC ConvertersRDS(on) = 0.01l Fast SwitchingGID = 85ASDescriptionThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedproc

 7.1. Size:67K  international rectifier
 irl3402.pdf pdf_icon

IRL3402S

PD - 9.1697IRL3402PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast SwitchingRDS(on) = 0.01GID = 85A DescriptionSThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters. Advanced processing techniquescombined with a

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