IRL3402S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL3402S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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IRL3402S datasheet

 ..1. Size:158K  international rectifier
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IRL3402S

PD - 91693A IRL3402S HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Surface Mount VDSS = 20V l Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive l Ideal for CPU Core DC-DC Converters RDS(on) = 0.01 l Fast Switching G ID = 85A S Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Advanced proc

 7.1. Size:67K  international rectifier
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IRL3402S

PD - 9.1697 IRL3402 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive VDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast Switching RDS(on) = 0.01 G ID = 85A Description S These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with a

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