IRF7410PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7410PBF-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.9 V

Carga de compuerta (Qg): 91 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2344 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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IRF7410PBF-1 Datasheet (PDF)

1.1. irf7410pbf-1.pdf Size:195K _upd-mosfet

IRF7410TRPbF-1 HEXFET® Power MOSFET VDS -12 V A 1 8 S D RDS(on) max 7 2 7 (@V = -4.5V) D GS S RDS(on) max 3 6 S 9 mΩ D (@V = -2.5V) GS 4 5 G D RDS(on) max 13 (@V = -1.8V) GS SO-8 Top View Qg (typical) 91 nC ID -16 A (@T = 25°C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility ⇒ Compatible with Existing Surface Mount T

1.2. irf7410pbf.pdf Size:210K _upd-mosfet

PD - 96028B IRF7410PbF HEXFET® Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 7mΩ@VGS = -4.5V -16A l Surface Mount 9mΩ@VGS = -2.5V -13.6A l Available in Tape & Reel 13mΩ@VGS = -1.8V -11.5A l Lead-Free Description A These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing 2 7 techniques

1.3. irf7410pbf-1.pdf Size:195K _international_rectifier