IRF7410PBF-1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7410PBF-1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2344 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF7410PBF-1 datasheet

 ..1. Size:195K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

IRF7410TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -12 V A 1 8 S D RDS(on) max 7 2 7 (@V = -4.5V) D GS S RDS(on) max 3 6 S 9 m D (@V = -2.5V) GS 4 5 G D RDS(on) max 13 (@V = -1.8V) GS SO-8 Top View Qg (typical) 91 nC ID -16 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount T

 4.1. Size:210K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

PD - 96028B IRF7410PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 7m @VGS = -4.5V -16A l Surface Mount 9m @VGS = -2.5V -13.6A l Available in Tape & Reel 13m @VGS = -1.8V -11.5A l Lead-Free Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing 2 7 techniques

 7.1. Size:208K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

PD - 96247 IRF7410GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 7m @VGS = -4.5V -16A l Surface Mount 9m @VGS = -2.5V -13.6A l Available in Tape & Reel 13m @VGS = -1.8V -11.5A l Lead-Free l Halogen-Free Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing

 7.2. Size:102K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

PD - 94025 IRF7410 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 7m @VGS = -4.5V -16A Surface Mount 9m @VGS = -2.5V -13.6A Available in Tape & Reel 13m @VGS = -1.8V -11.5A Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing 2 7 techniques to achieve the extrem

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