IRF7410PBF-1 Todos los transistores

 

IRF7410PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7410PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2344 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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IRF7410PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

IRF7410TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -12 VA1 8S DRDS(on) max 72 7(@V = -4.5V) DGS SRDS(on) max 3 6S9 m D(@V = -2.5V)GS4 5G DRDS(on) max 13(@V = -1.8V)GSSO-8Top ViewQg (typical) 91 nCID -16 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount T

 4.1. Size:210K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

PD - 96028BIRF7410PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques

 7.1. Size:208K  international rectifier
 irf7410gpbf.pdf pdf_icon

IRF7410PBF-1

PD - 96247IRF7410GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16Al Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6Al Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5Al Lead-Freel Halogen-FreeDescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing

 7.2. Size:102K  international rectifier
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IRF7410PBF-1

PD - 94025IRF7410HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 7m@VGS = -4.5V -16A Surface Mount9m@VGS = -2.5V -13.6A Available in Tape & Reel13m@VGS = -1.8V -11.5ADescriptionAThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from1 8S DInternational Rectifier utilize advanced processing2 7techniques to achieve the extrem

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History: 2N5460 | FDMC8327L | IRFZ32 | IRF540N | AON6558 | STP10NB50 | IRF542

 

 
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