IRF7425PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7425PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7425PBF-1

IRF7425PBF-1 Datasheet (PDF)

..1. Size:182K international rectifier
irf7425pbf-1.pdf

IRF7425PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8S DRDS(on) max 8.22 7(@V = -4.5V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D13(@V = -2.5V)GS4 5G DQg (typical) 87 nCID SO-8-15 A Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH

4.1. Size:152K international rectifier
irf7425pbf.pdf

PD- 96062IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET20V 8.2@VGS = -4.5V -15Al Surface Mount13@VGS = -2.5V -13Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processing3 6techniques to achieve the extremely

4.2. Size:192K infineon
irf7425pbf.pdf

IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8RDS(on) max S D8.2(@V = -4.5V) 2 7GSS DmRDS(on) max 3 613S D(@V = -2.5V)GS4 5Qg (typical) 87 nC G DID -15 ASO-8Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Co

7.1. Size:91K international rectifier
irf7425.pdf

PD- 94022AIRF7425HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET20V 8.2@VGS = -4.5V -15A Surface Mount13@VGS = -2.5V -13A Available in Tape & ReelA1 8Description S DThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processing3 6techniques to achieve the ex

7.2. Size:1476K cn vbsemi
irf7425tr.pdf

IRF7425TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: