IRF7455PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7455PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7455PBF

IRF7455PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1025K international rectifier
irf7455pbf.pdf

PD - 95461IRF7455PbF Lead-Freewww.irf.com 16/29/04IRF7455PbF2 www.irf.comIRF7455PbFwww.irf.com 3IRF7455PbF4 www.irf.comIRF7455PbFwww.irf.com 5IRF7455PbF6 www.irf.comIRF7455PbFSO-8 Package OutlineDimensions are shown in milimeters (inches)INCHES MILLIMETERSDIMD B MIN MAX MIN MAX5 A .0532 .0688 1.35 1.75AA1 .0040 .0098 0.10 0.25b .013 .020

..2. Size:1025K infineon
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0.1. Size:668K international rectifier
irf7455pbf-1.pdf

IRF7455PbF-1SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETVDS 30 VAA1 8S DRDS(on) max 0.0075 2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 37 nC3 6S DID 4 515 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl High Frequency DC-DC Converters with Synchronous RectificationFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Ex

7.1. Size:167K international rectifier
irf7455.pdf

PD- 93842BIRF7455SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High Frequency DC-DC Converters 30V 0.0075 15Awith Synchronous RectificationBenefits Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGSAA Low Charge and Low Gate Impedance to 1 8S DReduce Switching Losses2 7S D Fully Characterized Avalanche Voltage3 6S Dand Current4 5G DSO-8Top View

7.2. Size:1491K cn vbsemi
irf7455tr.pdf

IRF7455TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.008 at VGS = 10 V 1330 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.011 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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Liste

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