SIHF610L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHF610L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: TO-262
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SIHF610L datasheet
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IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 200 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 1.8 Fast switching Available Qgd (nC) 4.5 Ease of paralleling Configuration Sing
sihf610l.pdf
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 200 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 1.8 Fast switching Available Qgd (nC) 4.5 Ease of paralleling Configuration Sing
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IRF610, SiHF610 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Qgd (nC) 4.5 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D
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IRF610, SiHF610 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Qgd (nC) 4.5 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D
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