SIHF610L Todos los transistores

 

SIHF610L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF610L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHF610L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  vishay
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SIHF610L

IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt ratingAvailableQg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 1.8 Fast switchingAvailableQgd (nC) 4.5 Ease of parallelingConfiguration Sing

 ..2. Size:173K  vishay
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IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt ratingAvailableQg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 1.8 Fast switchingAvailableQgd (nC) 4.5 Ease of parallelingConfiguration Sing

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SIHF610L

IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 7.2. Size:202K  vishay
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IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

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History: 2SK2931 | FQPF13N50C

 

 
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