SIHF614S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHF614S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SIHF614S MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SIHF614S datasheet
sihf614s.pdf
IRF614S, SiHF614S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 1.8 Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Configuration Sin
sihf614.pdf
IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 4.5 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D
irf614 sihf614.pdf
IRF614, SiHF614 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 4.5 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D D
irf610 sihf610.pdf
IRF610, SiHF610 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Qgd (nC) 4.5 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D
Otros transistores... SIHF530S, SIHF540, SIHF540S, SIHF5N50D, SIHF610, SIHF610L, SIHF610S, SIHF614, IRF630, SIHF620, SIHF620S, SIHF624, SIHF624S, SIHF630, SIHF630S, SIHF634, SIHF634S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n
