SIHF9Z24 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHF9Z24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de SIHF9Z24 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SIHF9Z24 datasheet
irf9z24 sihf9z24.pdf
IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require
irf9z24pbf sihf9z24.pdf
IRF9Z24, SiHF9Z24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 19 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Fast Switching Qgd (nC) 11 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Require
irf9z24s sihf9z24s irf9z24l sihf9z24l.pdf
IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S) Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4
irf9z24spbf sihf9z24l sihf9z24s.pdf
IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 60 Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S) Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4
Otros transistores... SIHF9640L, SIHF9640S, SIHF9Z10, SIHF9Z14, SIHF9Z14L, SIHF9Z14S, SIHF9Z20, SIHF9Z22, IRF540, SIHF9Z24L, SIHF9Z24S, SIHF9Z30, SIHF9Z34, SIHF9Z34L, SIHF9Z34S, SIHFB13N50A, SIHFB17N50L
History: OSG07N65PF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210
