SIHF9Z30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHF9Z30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHF9Z30

SIHF9Z30 Datasheet (PDF)

..1. Size:256K vishay
irf9z30 sihf9z30.pdf

IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com

..2. Size:133K vishay
sihf9z30.pdf

7.1. Size:168K vishay
irf9z34s sihf9z34s irf9z34l sihf9z34l.pdf

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9

7.2. Size:197K vishay
irf9z34 sihf9z34.pdf

IRF9Z34, SiHF9Z34Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 P-Channel RoHS*Qg (Max.) (nC) 34COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9 Fast SwitchingQgd (nC) 16 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme

7.3. Size:193K vishay
irf9z34spbf sihf9z34l sihf9z34s.pdf