SIHF9Z30 Todos los transistores

 

SIHF9Z30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHF9Z30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de SIHF9Z30 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIHF9Z30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  vishay
 irf9z30 sihf9z30.pdf pdf_icon

SIHF9Z30

IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com

 ..2. Size:133K  vishay
 sihf9z30.pdf pdf_icon

SIHF9Z30

IRF9Z30, SiHF9Z30www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50 Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 39 Low Drive CurrentQgs (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 15 Material categorization: For definitions of com

 7.1. Size:168K  vishay
 irf9z34s sihf9z34s irf9z34l sihf9z34l.pdf pdf_icon

SIHF9Z30

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)Qg (Max.) (nC) 34 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9

 7.2. Size:197K  vishay
 irf9z34 sihf9z34.pdf pdf_icon

SIHF9Z30

IRF9Z34, SiHF9Z34Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.14 P-Channel RoHS*Qg (Max.) (nC) 34COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 9.9 Fast SwitchingQgd (nC) 16 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIHF9Z14 , SIHF9Z14L , SIHF9Z14S , SIHF9Z20 , SIHF9Z22 , SIHF9Z24 , SIHF9Z24L , SIHF9Z24S , IRFZ44 , SIHF9Z34 , SIHF9Z34L , SIHF9Z34S , SIHFB13N50A , SIHFB17N50L , SIHFB9N60A , SIHFB9N65A , SIHFBC20 .

History: STP12N65M5 | PMV30ENEA | VBE1307

 

 
Back to Top

 


 
.