SIHFBC20S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFBC20S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFBC20S

SIHFBC20S Datasheet (PDF)

..1. Size:291K vishay
sihfbc20l sihfbc20s.pdf

IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 600 Surface Mount (IRFBC20S, SiHFBC20S)RDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Low-Profile Through-Hole (IRFBC20L, SiHFBC20L) Available in Tape and Reel (IRFBC20, SiiHFBC20S)Qg (Max.) (nC) 18 Dynamic dV/dt RatingQgs

..2. Size:266K vishay
irfbc20s sihfbc20s irfbc20l sihfbc20l.pdf

6.1. Size:1571K vishay
irfbc20pbf sihfbc20.pdf

IRFBC20, SiHFBC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 8.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

6.2. Size:1568K vishay
irfbc20 sihfbc20.pdf