SIHFBE30S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFBE30S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 78 nC
   Tiempo de subida (tr): 33 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFBE30S

SIHFBE30S Datasheet (PDF)

..1. Size:448K vishay
irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 800DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.6 Fast SwitchingQgd (nC) 45 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirem

..2. Size:473K vishay
sihfbe30l sihfbe30s.pdf

6.1. Size:1517K vishay
irfbe30 sihfbe30.pdf

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

6.2. Size:1520K vishay
sihfbe30.pdf