SIHFL014 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHFL014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: SOT-223
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SIHFL014 datasheet
irfl014 sihfl014.pdf
IRFL014, SiHFL014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.1 Fast Switching Qgd (nC) 5.8 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements
sihfl014.pdf
IRFL014, SiHFL014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.1 Fast Switching Qgd (nC) 5.8 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements
sihfl214.pdf
IRFL214, SiHFL214 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin
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Liste
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