SIHFL214 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFL214

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SIHFL214 datasheet

..1. Size:926K vishay
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IRFL214, SiHFL214 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

..2. Size:925K vishay
irfl214 sihfl214.pdf pdf_icon

7.1. Size:172K vishay
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IRFL210, SiHFL210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

7.2. Size:170K vishay
irfl210 sihfl210.pdf pdf_icon