SIHFP048R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHFP048R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHFP048R

SIHFP048R Datasheet (PDF)

..1. Size:1917K vishay
sihfp048r.pdf

IRFP048R, SiHFP048RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECCon

6.1. Size:1574K vishay
irfp048 sihfp048.pdf

IRFP048, SiHFP048Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfi

6.2. Size:944K vishay
irfp048pbf sihfp048.pdf

8.1. Size:1562K vishay
irfp054pbf sihfp054.pdf

IRFP054, SiHFP054Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.014RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 160 Fast SwitchingQgs (nC) 48 Ease of ParallelingQgd (nC) 54 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Com

8.2. Size:1684K vishay
irfp064 sihfp064.pdf

IRFP064, SiHFP064Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- ResistanceRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal ResistanceQgs (nC) 55 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

8.3. Size:1690K vishay
sihfp064.pdf

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