IRF7739L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7739L2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 220 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2510 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
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IRF7739L2 Datasheet (PDF)
irf7739l2.pdf
IRF7739L2TRPbFIRF7739L2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket40V min 20V max 0.70m@ 10Vl Optimized for Synchronous RectificationQg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Loss
auirf7739l2tr.pdf
PD - 97442BAUIRF7739L2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRF7739L2TR1Automotive DirectFET Power MOSFET FeaturesAdvanced Process Technology V(BR)DSS40VOptimized for Automotive Motor Drive, DC-DC andRDS(on) typ.700 other Heavy Load Applicationsmax. 1000Exceptionally Small Footprint and Low ProfileHigh Power DensityID (Silicon Limit
auirf7739l2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7739L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 40V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 700 Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 1000 High Power Density ID (Silicon Limited) 270A Low Parasitic Parameters Qg (t
irf7739l1.pdf
IRF7739L1TRPbFApplicationsDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant, Halogen Free l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow) VDSS VGS RDS(on) l Ideal for High Performance Isolated Converter40V min 20V max 0.70m@ 10VPrimary Switch SocketQg tot Qgd Vgs(th) l Optimized for Synchronous Rectification220nC 81nC 2.8Vl Low
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