IRF7759L2TRPBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7759L2TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF7759L2TRPBF datasheet

 ..1. Size:311K  international rectifier
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IRF7759L2TRPBF

PD - 96283 IRF7759L2TRPbF IRF7759L2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket 75V min 20V max 1.8m @ 10V l Optimized for Synchronous Rectification Qg tot Qgd Vgs(th) l Low Cond

 3.1. Size:441K  infineon
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IRF7759L2TRPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7759L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 75V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 1.8m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 2.3m High Power Density ID (Silicon Limited) 160A Low Parasitic Parameters Qg (typi

 5.1. Size:245K  international rectifier
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IRF7759L2TRPBF

PD - 96426 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR1 Advanced Process Technology Automotive DirectFET Power MOSFET Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and V(BR)DSS 75V other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile RDS(on) typ. 1.8m High Power Density max. 2.3m Low Parasitic Parameters Dual Sided Cooling

 5.2. Size:269K  international rectifier
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IRF7759L2TRPBF

IRF7759L2PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket 75V min 20V max 1.8m @ 10V l Optimized for Synchronous Rectification Qg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Losses 200nC 62nC 3.0V

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