IRF7779L2TRPBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7779L2TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF7779L2TRPBF datasheet

 ..1. Size:312K  international rectifier
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IRF7779L2TRPBF

PD - 97435 IRF7779L2TRPbF IRF7779L2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) Typical values (unless otherwise specified) l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket 150V min 20V max 9.0m @ 10V l Optimized for Synchronous Rectification Qg tot Qgd Vgs(th) l Low Cond

 5.1. Size:261K  international rectifier
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IRF7779L2TRPBF

IRF7779L2PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant, Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Ideal for High Performance Isolated Converter VDSS VGS RDS(on) Primary Switch Socket 150V min 20V max 9.0m @ 10V l Optimized for Synchronous Rectification Qg tot Qgd Vgs(th) l Low Conduction Losses 97nC 33nC 4.0V

 9.1. Size:228K  1
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IRF7779L2TRPBF

PD- 96151A IRF7752GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual N-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package 30V 0.030@VGS = 10V 4.6A l Low Profile (

 9.2. Size:226K  1
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IRF7779L2TRPBF

PD-96144A IRF7750GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l Dual P-Channel MOSFET l Very Small SOIC Package VDSS = -20V l Low Profile (

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