IRF7809AVPBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7809AVPBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1060 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7809AVPBF-1

IRF7809AVPBF-1 Datasheet (PDF)

2.1. Size:593K infineon
irf7809avpbf.pdf

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5.1. Size:114K international rectifier
irf7809av.pdf

PD-90010IRF7809AV N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesA Low Switching LossesA1 8S D Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplications2 7S D3 6DescriptionS DThis new device employs advanced HEXFET Power4 5G DMOSFET technology to achieve an unprecedentedbalance of on-resistan

6.1. Size:128K international rectifier
irf7809a.pdf

PD - 93810PD - 93811IRF7809A/IRF7811AIRF7809A/IRF7811APROVISIONAL DATASHEET N-Channel Application-Specific MOSFETsHEXFET Chipset for DC-DC Converters Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesA Low Switching LossesA1 8S D Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplications2 7S D3 6DescriptionS DThese new devices emplo

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Liste

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