IRF7832Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7832Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7832Z

IRF7832Z Datasheet (PDF)

..1. Size:265K international rectifier
irf7832z.pdf

PD - 96975AIRF7832ZHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for Notebook3.8m @VGS = 10VProcessor Power 30V 30nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC ConvertersAA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentSO-8

7.1. Size:262K international rectifier
irf7832pbf.pdf

PD - 95016AIRF7832PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for NotebookProcessor Power4.0m @VGS = 10V30V 34nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking SystemsAA1 8S Dl Lead-Free2 7S DBenefits3 6S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS4 5G Dl Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Chara

7.2. Size:249K international rectifier
irf7832pbf-1.pdf

IRF7832PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 4.0 m2 7S D(@V = 10V)GS3 6Qg (typical) 34 nCS DID 4 5G D20 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewApplicationsl Synchronous MOSFET for Notebook Processor Powerl Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking SystemsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Packa

7.3. Size:188K international rectifier
irf7832.pdf

PD - 94594AIRF7832HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Synchronous MOSFET for NotebookProcessor Power4.0m @VGS = 10V30V 34nCl Synchronous Rectifier MOSFET forIsolated DC-DC Converters inNetworking Systems AA1 8S DBenefits2 7S Dl Very Low RDS(on) at 4.5V VGS3 6S Dl Ultra-Low Gate Impedance4 5G Dl Fully Characterized Avalanche Volt

7.4. Size:262K infineon
irf7832pbf.pdf

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