SIHFP9240 Todos los transistores

 

SIHFP9240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFP9240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHFP9240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1769K  vishay
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SIHFP9240

IRFP9240, SiHFP9240Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200 VAvailable Repetitive Avalanche RatedRDS(on) (Max.) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 44 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 7.1 Fast SwitchingQgd (nC) 27 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple

 ..2. Size:1804K  vishay
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SIHFP9240

IRFP9240, SiHFP9240Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 200 VAvailable Repetitive Avalanche RatedRDS(on) (Max.) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 44 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 7.1 Fast SwitchingQgd (nC) 27 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple

 8.1. Size:1444K  vishay
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SIHFP9240

IRFP9140, SiHFP9140Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20 RoHS P-ChannelCOMPLIANT Qg (Max.) (nC) 61 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleli

 8.2. Size:1478K  vishay
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SIHFP9240

IRFP9140, SiHFP9140Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 61 Isolated Central Mounting HoleQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of

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