SIHFR9120 Todos los transistores

 

SIHFR9120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHFR9120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIHFR9120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1098K  vishay
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SIHFR9120

IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60 Surface Mount (IRFR9120, SiHFR9120)Qg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFU9120, SiHFU9120)Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and ReelQgd (nC) 9.0 P-Channel

 ..2. Size:1885K  vishay
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SIHFR9120

IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60RoHS* Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)COMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)Qgs (nC) 3.0 Available in Tape and ReelQgd (nC) 9.0

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SIHFR9120

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100 Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.7 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)Qgs (nC) 2.2 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110) Available in Tape

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SIHFR9120

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2 Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)Qg (Max.) (nC) 8.7 Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110)Qgs (nC) 2.2 Available in Tape and ReelQgd (nC) 4.1 P-Channel

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History: AP2301EN | RFD15P06SM | HFU70N03V | SFF6N100S1 | AUIRF1404Z | SVS11N65SD2TR | CS5630

 

 
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