SIHFZ14 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHFZ14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SIHFZ14 datasheet

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SIHFZ14

IRFZ14, SiHFZ14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

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SIHFZ14

IRFZ14, SiHFZ14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available 175 C Operating Temperature RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

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SIHFZ14

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw

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SIHFZ14

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw

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