SIHG22N60E Todos los transistores

 

SIHG22N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIHG22N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 227 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 57 nC

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-247AC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHG22N60E

 

SIHG22N60E Datasheet (PDF)

0.1. sihg22n60e.pdf Size:182K _vishay

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SiHG22N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 86 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 11Available Avalanche energy rated (UIS)Qgd (

5.1. sihg22n60s.pdf Size:184K _vishay

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SiHG22N60Swww.vishay.comVishay SiliconixS Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Generation oneVDS at TJ max. (V) 650 High EAR capabilityRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.190 Lower figure-of-merit Ron x QgQg max. (nC) 98 100 % avalanche testedQgs (nC) 17AvailableQgd (nC) 25 Ultra low RonConfiguration Single dV/dt ruggedness U

 6.1. sihg22n65e.pdf Size:185K _vishay

SIHG22N60E
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SiHG22N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction losses AvailableQg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS) Availab

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