SIHLL014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIHLL014
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHLL014

SIHLL014 Datasheet (PDF)

..1. Size:168K vishay
sihll014 irll014.pdf

IRLL014, SiHLL014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.4 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.5 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 6.0 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast SwitchingCo

..2. Size:164K vishay
irll014 sihll014.pdf

IRLL014, SiHLL014www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 60 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20 Dynamic dV/dt rating Logic-level gate driveQg max. (nC) 8.4 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 3.5Available Fast switchingQgd (nC) 6.0 Ease of parallelingConfigurat

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IRLL014, SiHLL014www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 60 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20 Dynamic dV/dt rating Logic-level gate driveQg (Max.) (nC) 8.4 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 VQgs (nC) 3.5Available Fast switchingQgd (nC) 6.0 Ease of parallelingConfigur

9.1. Size:1437K vishay
irll110 sihll110.pdf

IRLL110, SiHLL110Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 100 Available in Tape and ReelAvailableRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Dynamic dV/dt RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 6.1 Repetitive Avalanche RatedCOMPLIANTQgs (nC) 2.6 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 3.3 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Sin

9.2. Size:351K vishay
irll110trpbf sihll110.pdf

IRLL110, SiHLL110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 100 Available in tape and reel Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 6.1 Logic-level gate driveQgs (nC) 2.6 RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V AvailableQgd (nC) 3.3 Fast switchingC

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Liste

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