FMC07N50E Todos los transistores

 

FMC07N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMC07N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: T-PACK-S
 

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FMC07N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  fuji
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FMC07N50E

FMC07N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Otros transistores... SIHW73N60E , FMA49N20T2 , FMB16N50E , FMB80N10T2 , FMC03N60E , FMC05N50E , FMC05N60E , FMC06N60ES , AO3401 , FMC10N60E , FMC11N60E , FMC12N50E , FMC12N50ES , FMC12N60ES , FMC13N60E , FMC13N60ES , FMC16N50E .

History: FHP13N50C | FCP260N60E | FMC10N60E | IRFHM8329PBF

 

 
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