FMH28N50ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMH28N50ES
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 400 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 28 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.7 V
Carga de compuerta (Qg): 92 nC
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-3P-Q
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMH28N50ES
FMH28N50ES Datasheet (PDF)
1.1. fmh28n50e.pdf 
Size:534K _upd-mosfet
FMH28N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)
1.2. fmh28n50es.pdf Size:558K _upd-mosfet
FMH28N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P (Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2±0.5
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