FMH28N50ES Todos los transistores

 

FMH28N50ES MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH28N50ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 400 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.7 V

Carga de compuerta (Qg): 92 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 420 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P-Q

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FMH28N50ES Datasheet (PDF)

1.1. fmh28n50e.pdf Size:534K _upd-mosfet

FMH28N50ES
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FMH28N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P(Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)

1.2. fmh28n50es.pdf Size:558K _upd-mosfet

FMH28N50ES
FMH28N50ES

FMH28N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-3P (Q) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2±0.5

 

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