FS14SM-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS14SM-10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.64 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FS14SM-10

FS14SM-10 Datasheet (PDF)

1.1. fs14sm-10.pdf Size:61K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS14SM-10 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS14SM-10 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE ¡VDSS ................................................................................ 500V r DRAIN ¡rDS (ON) (MAX) .............................................................

2.1. fs14sm-14a.pdf Size:58K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS14SM-14A HIGH-SPEED SWITCHING USE FS14SM-14A OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE r DRAIN ¡VDSS ................................................................................700V ¡rDS (ON) (MAX) ...........................................................

2.2. fs14sm-12.pdf Size:43K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS14SM-12 HIGH-SPEED SWITCHING USE FS14SM-12 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE r DRAIN ¡VDSS ................................................................................ 600V ¡rDS (ON) (MAX) ............................................................

2.3. fs14sm-16a.pdf Size:40K _upd-mosfet

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS14SM-16A HIGH-SPEED SWITCHING USE FS14SM-16A OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 4.5 15.9MAX. 1.5 r φ 3.2 2 4.4 1.0 q w e 5.45 5.45 0.6 2.8 4 wr q GATE w DRAIN q e SOURCE r DRAIN ¡VDSS ................................................................................800V ¡rDS (ON) (MAX) ...........................................................

2.4. fs14sm-16a.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FS14SM-16A ·FEATURES ·With TO-3PN packaging ·High speed switching ·Standard level gate drive ·Easy to use ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Power supply ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAME

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Liste

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