FS14SM-9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FS14SM-9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de FS14SM-9 MOSFET
FS14SM-9 Datasheet (PDF)
fs14sm-16a.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FS14SM-16AFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
Otros transistores... FS10SM-12 , FS10SM-16A , FS10SM-18A , FS10VS-9A , FS14SM-10 , FS14SM-12 , FS14SM-14A , FS14SM-16A , TK10A60D , FS16SM-10 , FS16SM-9 , FS18SM-10 , FS18SM-14A , FS18SM-9 , FS30AS-06 , FS30AS-2 , FS30ASJ-06F .
History: SPA11N65C3 | CEM7350 | IXTA1N120P | DHE90N045R | VBZM50N03
History: SPA11N65C3 | CEM7350 | IXTA1N120P | DHE90N045R | VBZM50N03
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802

