IRLIZ24A Todos los transistores

 

IRLIZ24A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIZ24A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLIZ24A

 

IRLIZ24A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  1
irliz24a irlw24a.pdf

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 7.1. Size:172K  international rectifier
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 7.2. Size:842K  international rectifier
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PD - 95048IRLIZ24NPbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 12/25/04IRLIZ24NPbF2 www.irf.comIRLIZ24NPbFwww.irf.com 3IRLIZ24NPbF4 www.irf.comIRLIZ24NPbFwww.irf.com 5IRLIZ24NPbF6 www.irf.comIRLIZ24NPbFwww.irf.com 7IRLIZ24NPbFTO-220 Full-Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)TO-220 Full-Pak Part Marking Information I

 7.3. Size:241K  international rectifier
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 7.4. Size:275K  inchange semiconductor
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iscN-Channel MOSFET Transistor IRLIZ24GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.1 (MAX)Enhancement mode:Vth = 1.0 to 2.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

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