FX20VSJ-3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FX20VSJ-3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Tiempo de subida (tr): 42 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 248 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220S
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FX20VSJ-3 Datasheet (PDF)
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